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2002年2月27日

CD-R / RW用250mWおよびDVD用100mW高出力半導体レーザーダイオードを商品化

ソニーは、48倍速以上のCD-Rへの高速なデータ書込みに対応できる780nm帯250mW高出力半導体レーザーダイオード『SLD253VL』を2002年5月にサンプル出荷します。
また、追記型/書換型DVDへの4倍速以上のデータ書込みに適した650nm帯100mW高出力半導体レーザーダイオード『SLD1233VL』を2002年5月から発売いたします。

パソコンの高性能・高機能化とネットワークのブロードバンド化にともない、大量のデータを迅速に保存、容易に検索できる光ストレージに対するニーズが高まっています。すでにCD-R/RWならびに書込み可能なDVDドライブは、ともにパソコンの外部記憶装置として欠かせない存在であり、データ書込み速度の向上を図るうえで主要な構成技術の一つである半導体レーザーの高出力化が期待されています。

CD-R/RW用半導体レーザーダイオード『SLD253VL』では、ソニー独自の半導体結晶成長技術であるMOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気層成長法）技術をもとに、COD（Catastrophic Optical Damage：自らの光出力に起因した光学的損傷）を防止する出射端面の保護コーティング技術と、ダイオード内でのレーザー光の透過損失を抑制する導波路構造を新たに採用することにより、250mWの高いパルス定格出力を実現しました。
32倍速CD-R記録用として実績のある当社180mW出力半導体レーザーダイオードの性能を大きく上回り、レーザー光の利用効率の確保が難しいCD-R/DVD一体型コンボドライブにおいても40倍速以上のCD-R記録に対応できる半導体レーザーダイオードです。

型名	サンプル出荷時期	サンプル価格
CD-R/RW用250mW高出力半導体レーザーダイオード『SLD253VL』	2002年5月	1,000円

一方、DVD用半導体レーザーダイオード『SLD1233VL』では、出射端面でレーザー光を吸収しない窓構造と、ダイオード内のレーザー光の透過損失を抑制する実屈折率導波構造を採用し、追記型/書換型DVDへのデータ書込みを高速化できる100mWのパルス定格出力を可能にしました。

型名	発売時期	サンプル価格
DVD用100mW高出力半導体レーザーダイオード『SLD1233VL』	2002年5月	2,000円

ソニーは、光ストレージを支えるキーデバイスである半導体レーザーダイオードの研究開発に今後も積極的に取り組み、光ストレージ記録の高速化、大容量化の市場ニーズに対応することにより、ユーザーの利便性を追求してまいります。

CD-R/RW用半導体レーザーダイオード『SLD253VL』の主な特長

高出力250mWパルス定格出力

出射端面の保護コーティング技術と、ダイオード内でのレーザー光の透過損失を抑制する導波路構造を新たに採用することにより、250mWのパルス定格出力を実現しました。

当社従来製品との光学特性比較

業界標準サイズ直径5.6mmのパッケージを採用

業界標準の直径5.6mmパッケージを採用することにより、既存機器と同様に実装することが可能です。

高出力780nm帯250ｍW半導体レーザーダイオード『SLD253VL』

CD-R/RW用半導体レーザーダイオード『SLD253VL』の主な仕様

項目		条件	定格値／特性値
最大定格
光出力 Po	直流 CW	-	110 mW
光出力 Po	パルス	Width 50ns Duty 50%	250 mW
逆方向電圧		-	2 V
動作温度		-	-10 ～ +70 ℃
保存温度		-	-40 ～ +85 ℃
電気的／光学的特性
発振開始電流 Ith		CW	30 mA
動作電流 Iop		CW、Po=100 mW	130 mA
動作電圧 Vop		CW、Po=100 mW	2.0 V
発振波長 λp		CW、Po=100 mW	784 nm
微分効率 ηD		CW、Po=100 mW	1.0 mW/mA
放射角	接合に平行	CW、Po=100 mW	8.4 °
放射角	接合に垂直	CW、Po=100 mW	16.0 °

DVD用半導体レーザーダイオード『SLD1233VL』の主な特長

出射端面でレーザー光を吸収しない窓構造と、ダイオード内のレーザー光の透過損失を抑制する実屈折率導波構造を採用することにより、高出力100mWパルス定格出力とともに、優れた温度特性を実現しました。

SLD1233VLの光学特性

DVD用半導体レーザーダイオード『SLD1233VL』の主な仕様

項目		条件	定格値／特性値
最大定格
光出力 Po	直流 CW	-	60 mW
光出力 Po	パルス	Width 100ns Duty 50%	100 mW
逆方向電圧		-	2.0 V
動作温度		-	-10 ～ +70 ℃
保存温度		-	-40 ～ +85 ℃
電気的／光学的特性
発振開始電流 Ith		CW	35 mA
動作電流 Iop		CW、Po=50 mW	85 mA
動作電圧 Vop		CW、Po=50 mW	2.5 V
発振波長 λp		CW、Po=50 mW	658 nm
微分効率 ηD		CW、Po=50 mW	1.0 mW/mA
放射角	接合に平行	CW、Po=50 mW	9.0 °
放射角	接合に垂直	CW、Po=50 mW	20.0 °

お客様からのお問い合わせ先

ソニー（株）コアテクノロジー＆ネットワークカンパニー
エレクトロニックデバイス営業本部　ディスクマーケティング課
TEL 03-5435-3880